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通用電子元器件（破壞性物理分析）檢測

原創(chuàng)發(fā)布者：北檢院    發(fā)布時間：2023-04-19     點(diǎn)擊數(shù)：

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檢測樣品

通用電子元器件（破壞性物理分析）電子元器件電子元器件及設(shè)備（物理性能）電氣、電子產(chǎn)品、電子元器件電子元器件及設(shè)備（機(jī)械性能）電子元器件環(huán)境與可靠性試驗(yàn)電子元器件及電氣元件電子元器件及設(shè)備(霉菌)

實(shí)驗(yàn)周期

7-15個工作日，加急實(shí)驗(yàn)一般5個工作日

檢測項(xiàng)目

玻璃鈍化層的完整性檢查鍵合強(qiáng)度內(nèi)部水汽含量X射線照相檢驗(yàn)有機(jī)錫化合物引出端強(qiáng)度密封性檢查聲學(xué)掃描顯微鏡檢查半導(dǎo)體集成電路老煉試驗(yàn)隨機(jī)振動物理檢查掃頻振動（電子元器件）恒定加速度可焊性外部目檢制樣鏡檢球柵陣列（BGA）試驗(yàn)方法設(shè)備及大組件恒定加速度機(jī)械沖擊粒子碰撞噪聲檢測芯片粘接的超聲檢測內(nèi)部目檢掃描電子顯微鏡檢查溫度循環(huán)X射線檢查金相晶粒度分析芯片剪切強(qiáng)度開帽內(nèi)部設(shè)計(jì)目檢掃描電子顯微鏡檢查（金屬化掃描電子顯微鏡檢查）內(nèi)部目檢及形貌分析沖擊試驗(yàn)耐溶劑性試驗(yàn)穩(wěn)定性烘焙（高溫壽命（非工作））粒子碰撞噪聲測試（PIND)電阻器老煉試驗(yàn)恒定加速度重量耐濕六溴環(huán)十二烷細(xì)檢漏易燃性霉菌試驗(yàn)掃描電子顯微鏡(SEM)檢查鍵合強(qiáng)度（破壞性鍵合拉力）耐濕（交變）外部目檢

檢測標(biāo)準(zhǔn)

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2021

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 方法2011.1

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法1018

微電路試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)方法 MIL-STD-883K:2016 2012.9

氣相色譜質(zhì)譜法測定半揮發(fā)性有機(jī)化合物 EPA8270D:2014

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第14部分：引出端強(qiáng)度 GB/T4937.14-2018 第14部分

《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》 GJB 128A-1997 方法1071

PEM-INST-001:塑封微電路（PEM）選擇、篩選和鑒定說明 NASA/TP-2003-212244 5.3.3

《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》 GJB 548B-2005 方法1015

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fh:寬帶隨機(jī)振動和導(dǎo)則 GB/T 2423.56-2018

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360A-1996 方法204

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360B-2009 方法212

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 2003.1

各種質(zhì)量等級軍用半導(dǎo)體器件破壞性物理分析方法 GJB 5914-2006 4.3.2

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB360B-2009 方法211

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項(xiàng)目0103-2.3、0202-2.5、0207-2.6、0208-2.3、0101-2.5、0102-2.5、0104-2.3、0201-2.5、0203-2.5、0301-2.4、0302-2.3、0401-2.5、0601-2.6、0603-2.4、0801-2.5、0802-2.5、0803-2.3、1401-1.4、1402-1.3、1501-2.5、1502-2.4、1601-2.4

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2011A或2023A

球柵陣列（BGA）試驗(yàn)方法 GJB 7677-2012 5 焊球剪切

《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作項(xiàng)目0902 晶體振蕩器

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則：穩(wěn)態(tài)加速度 GB/T 2423.15-2008

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項(xiàng)目0101~1301中2.2條 1401-1.2、1402-1.2、1403-1.2、1501-2.2、1502-2.2、1601-2.2

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360A-1996 方法213

微電子試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 方法2020.1

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548B-2005 方法2007

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2030

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 方法2004.21

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1、2013、2014或2017.1

微波組件通用規(guī)范 GJB 8481-2015 4.11.3

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 方法2077

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360B-2009 方法107

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360A-1996 方法209

電子、電磁和機(jī)電元器件破壞性物理分析 MIL-STD-1580B:2003 12.1.1.3 16.1.1.3 16.5.1.2u003cbru003e21.1.1.3

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006 1103.2.4

球柵陣列（BGA）試驗(yàn)方法 GJB 7677-2012 3 焊球共面性

鈹青銅的金相試驗(yàn)方法 HB 7694-2001

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項(xiàng)目0902-2.9、1002-2.9、1003-2.11、1101-2.10、1102-2.10、1201-2.10、1202-2.10、1301-2.10、1403-1.7、

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 方法2071

球柵陣列（BGA）試驗(yàn)方法 GJB 7677-2012 6 可焊性

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-97 2075

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 2018.1

軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 振動試驗(yàn) GJB150.16-1986

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2004A或2028

《半導(dǎo)體集成電路失效分析程序和方法》 GJB 3233-1998 第5.2.10條

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 方法2052

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2009A

環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則：沖擊 GB/T 2423.5-2019

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360B-2009 方法213

電工產(chǎn)品環(huán)境應(yīng)力篩選方法 GJB 1032-1990 5.2

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第3部分：外部目檢 GB/T4937.3-2012 第3部分

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360B-2009 方法215

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360B-2009 方法217

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 1008.1

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006 0901.2.4u003cbru003e1101.2.4 1102.2.4 u003cbru003e1003.2.5

《電子及電氣元器件試驗(yàn)方法》 GJB 360B-2009 方法108

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548B-2005 方法2018.1

《電子及電氣元件試驗(yàn)方法 》 GJB 360B-2009 方法212

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2026

微波組件通用規(guī)范 GJB 8481-2015 4.11.5

微波組件總規(guī)范 SJ 20527-1995 4.8.1

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第19部分：芯片剪切強(qiáng)度 GB/T4937.19-2018 第19部分

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 方法2009.1

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2018A

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2001A

金屬平均晶粒度測定方法 GB/T 6394-2017

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548B-2005 方法2001.1

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 MIL-STD-202G-2002 方法106G

電子電氣產(chǎn)品中六溴環(huán)十二烷的測定 氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用法 GB/T 29785-2013

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-1997 方法2069

電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB360B-2009 方法112

電工電子產(chǎn)品著火危險試驗(yàn) GB/T5169.5-2020

軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 霉菌試驗(yàn) GJB 150.10-86

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作項(xiàng)目0106-2.3、0701-2.3、0702-2.4、0901-2.4、1003-2.5、1101-2.4、1102-2.4、1201-2.4、1202-2.4、1301-2.4、

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-97 2037

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第21部分：可焊性 GB/T4937.21-2018 第21部分

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548B-2005 方法2002.1

《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作項(xiàng)目0207 固體電解質(zhì)鉭電容器

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 方法2069、2070、2072、2073、2074或2075

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548A-1996 方法2015A

微電子器件環(huán)境試驗(yàn)方法 第1部分：試驗(yàn)方法1000-1999 MIL-STD-883-1-2019 方法1004.7

微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548B-2005 方法2011.1或2023.2

《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作項(xiàng)目1202 半導(dǎo)體光電模塊

半導(dǎo)體光電模塊總規(guī)范 SJ 20642-1997 4.10.11

電子電氣產(chǎn)品中有機(jī)錫化合物的測定 第5部分：氣相色譜-質(zhì)譜法 SN/T 2592.5-2011

軍用電子元器件破壞性物理分析方法 GJB4027A-2006 0103.2.2 0202.2.2 0208.2.2 0803.2.2u003cbru003e0901.2.2u003cbru003e0902.2.2 u003cbru003e1101.2.2 1102.2.2 1103.2.2 u003cbru003e1003.2.2u003cbru003e1501.2.2

以上標(biāo)準(zhǔn)僅供參考，如有其他標(biāo)準(zhǔn)需求或者實(shí)驗(yàn)方案需求可以咨詢工程師

實(shí)驗(yàn)儀器

實(shí)驗(yàn)室儀器 實(shí)驗(yàn)室儀器 實(shí)驗(yàn)室儀器 實(shí)驗(yàn)室儀器

測試流程

通用電子元器件（破壞性物理分析）檢測流程

注意事項(xiàng)

1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考，因?yàn)槊總€樣品和項(xiàng)目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗(yàn)周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（通用電子元器件（破壞性物理分析）檢測）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。